物料参数
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 11.4A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 13.5 毫欧 @ 11A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.6V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 18 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1015 pF @ 15 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 800mW（Ta） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 等级: | - |
| 资质: | - |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | U-DFN2020-6（E 类） |
| 封装/外壳: | 6-PowerUDFN |